剛好這幾天收到了英睿達(dá) DDR5 Pro OC 6400超頻版內(nèi)存條，這才注意到內(nèi)存條的進(jìn)化速度實在是太快了。上半年還在感慨英睿達(dá)DDR5 Pro 6000頻率已經(jīng)很高了，現(xiàn)在升級版又來了。
英睿達(dá)DDR5 Pro OC 6400采用了美光的 1?節(jié)點技術(shù)，在性能、質(zhì)量和可靠性之間實現(xiàn)了良好的平衡。它可以同時支持 Intel XMP 和 AMD EXPO 標(biāo)準(zhǔn)，兼容性也會更好。
英睿達(dá)宣稱，DDR5 Pro OC可以憑借6400 MT/s的速度來提高游戲幀率表現(xiàn)。而且，它不僅適合游戲玩家，也適合從事數(shù)據(jù)密集型任務(wù)的創(chuàng)作者，用在視頻編輯、數(shù)據(jù)分析和圖像渲染等場景。
英睿達(dá)DDR5 Pro OC 6400提供 16GB 模塊，跟之前一樣，也配備了鋁制散熱馬甲，散熱馬甲采用了黑色或白色的折紙風(fēng)格設(shè)計，比之前多了一個顏色。拿在手里沉甸甸的，非常有質(zhì)感。
回過頭來說，英睿達(dá)DDR5 Pro OC 6400MT/s與英睿達(dá)DDR4 3200 MT/s內(nèi)存相比，它的數(shù)據(jù)傳輸能力翻倍，這個不難理解。那么延遲表現(xiàn)如何？
有人說，DDR4 3200 MT/s的CL（時鐘周期數(shù)）值為22，而現(xiàn)在英睿達(dá)DDR5 Pro OC 6400的CL值為38，延遲不是高了嗎？
內(nèi)存延遲確實受CL值影響較大，但其實，CL值并不直接決定延遲情況。相反，憑借更高的6400頻率，內(nèi)存真實延遲其實會變得更低。
套用上面的公式來計算，英睿達(dá)DDR5 Pro OC 6400的真實延遲是11.875ns，而DDR4 3200 CL值為22的內(nèi)存，其真實延遲是13.75ns，DDR5的內(nèi)存真實延遲隨著頻率提升而變低了。
當(dāng)然，內(nèi)存真實延遲只是影響系統(tǒng)內(nèi)存延遲的一個原因而已。整個系統(tǒng)內(nèi)存延遲的綜合表現(xiàn)要綜合考慮真實延遲、內(nèi)存控制器、內(nèi)存通道配置、內(nèi)存 Rank、主板信號延遲以及系統(tǒng)負(fù)載等因素。
接下來跑個分，把AIDA64的內(nèi)存性能測試數(shù)據(jù)當(dāng)成內(nèi)存系統(tǒng)延遲的情況。這項測試的延遲數(shù)據(jù)可以代表系統(tǒng)內(nèi)存完成一個操作所需要的時間延遲，也就是從處理器發(fā)送內(nèi)存請求到收到數(shù)據(jù)所花費的時間。
隨著現(xiàn)在英特爾酷睿Ultra 200系列和AMD銳龍9000系列上市，按說這些新的CPU跟DDR5 6400的內(nèi)存更搭配才對，但是，目前我手頭的只有AMD銳龍7600，那就勉為其難的簡單試試吧。
介紹一下我的老機(jī)器，主板是華碩TUF GAMING X670E-PLUS WIF，CPU是AMD Ryzen 7600（沒有開啟PBO），顯卡是技嘉3070魔鷹，系統(tǒng)盤是Solidigm P41 Plus 2TB，電源是振華金牌全模850瓦。
當(dāng)把兩個英睿達(dá)DDR5 Pro OC 6400MT/s插入到A2和B2插槽上，組成雙通道。然后更新最新的3057版本的BIOS，在BIOS里設(shè)置EXPO的配置，設(shè)置為6400的頻率和38-40-40-84的時序，以及1.35V的工作電壓。
AIDA64的內(nèi)存測試我們主要看Memory部分，其中讀表示從內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)的速度，寫表示向內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)的速度，復(fù)制表示在內(nèi)存中復(fù)制數(shù)據(jù)的速度，延遲表示內(nèi)存響應(yīng)的延遲時間。
連續(xù)做了好幾次測試，運行的很穩(wěn)定。結(jié)果如下：
目前看來，AIDA64測出來的內(nèi)存讀和復(fù)制速度不太理想，延遲數(shù)據(jù)也略微高了一點。不過，寫速度還是挺有DDR5內(nèi)存的水準(zhǔn)的，表現(xiàn)很棒。（加一個解釋各個是啥意思）
性能不理想的問題應(yīng)該是AMD銳龍7600核心和線程太少，沒能充分利用高帶寬，也可能有內(nèi)存控制器的問題，如果換成高端點的型號可能會更好。
作為對比，我又換了臺電腦，拿兩根插在A2和B2插槽上的DDR4 3200 8G內(nèi)存，搭配銳龍5800X跑了一下分?jǐn)?shù)。如上圖所示，這里的讀和復(fù)制性能表現(xiàn)還是不錯的，寫入速度比較慢 (Write)也屬正?，F(xiàn)象，這里也能看出來DDR5的優(yōu)勢。
總結(jié)與推薦
通過介紹，應(yīng)該意識到，英睿達(dá) DDR5 Pro OC 6400 內(nèi)存是一款兼顧性能、兼容性和設(shè)計的高端產(chǎn)品。它不僅在游戲和日常場景中表現(xiàn)出色，也適用于需要高帶寬和低延遲的創(chuàng)作任務(wù)，例如視頻剪輯和數(shù)據(jù)分析。
盡管這里搭配的是一顆Ryzen 5 7600，但英睿達(dá) DDR5 Pro OC 6400 已經(jīng)部分展現(xiàn)了其卓越的性能潛力。如果你計劃升級 Intel Ultra 200 系列或 AMD 9000 系列平臺，這款內(nèi)存將是一個非常穩(wěn)妥的選擇。
最后的建議是，根據(jù)預(yù)算選擇更高頻率的 DDR5 內(nèi)存，例如 6400 或更高型號，并搭配性能更強(qiáng)的 CPU。因為內(nèi)存頻率的提高可以提高內(nèi)存與 CPU 之間的數(shù)據(jù)交換速度，更快地完成數(shù)據(jù)加載和傳輸，這樣才能更好地釋放性能。
2024年，DDR5已是必選項，未來已至，是時候擁抱 DDR5 的新時代了！
