2025年，全球閃存市場(chǎng)在生成式AI的強(qiáng)勢(shì)推動(dòng)下加速發(fā)展。從1967年浮柵晶體管的發(fā)明，到2025年SK海力士321層NAND出貨，長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳出量產(chǎn)出貨基于Xtacking 4.0架構(gòu)的294層3D NAND，鎧俠采用類似Xtacking的CBA鍵合技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了332層的堆疊，行業(yè)正在從300層向著400層進(jìn)發(fā)。2025年雖然閃存企業(yè)本身的并購(gòu)案例不多，但2025年上半年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的并購(gòu)交易數(shù)量顯著增長(zhǎng)。簡(jiǎn)單回顧了2025年的閃存大事件，這次我們不盤點(diǎn)閃存發(fā)展的歷史走向，而是透過(guò)歷史脈絡(luò)看創(chuàng)新路徑的四條主線演進(jìn)。

一、架構(gòu)進(jìn)化。從浮柵器件到串行NAND，再到3D堆棧和Xtacking，其核心目標(biāo)始終是提升單位空間內(nèi)的存儲(chǔ)密度與操作效率。當(dāng)前，混合鍵合技術(shù)（晶圓鍵合技術(shù)）已成為3D NAND市場(chǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力，有效緩解傳統(tǒng)堆棧在層數(shù)增加后帶來(lái)的信號(hào)延遲和能耗瓶頸。在架構(gòu)策略上，從MLC、TLC、QLC到PLC的演進(jìn)，實(shí)現(xiàn)了容量密度與成本之間的新平衡。

2025全球閃存峰會(huì)中的存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新論壇將會(huì)更多為大家分享AI應(yīng)用場(chǎng)景下存儲(chǔ)架構(gòu)演變帶來(lái)的實(shí)際變化與挑戰(zhàn)。

二、制造工藝與材料突破。制程從90nm到14nm，層數(shù)從2D轉(zhuǎn)向232層、321層，背后是晶圓鍵合、堆棧優(yōu)化、晶體管縮放、控制器配套技術(shù)的共同協(xié)同。此外，簡(jiǎn)單的“加層”已難以維持良率和成本優(yōu)勢(shì)，異構(gòu)結(jié)構(gòu)等方式將成為新突破口。

比如，2025年4月中旬，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院的周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)在集成電路領(lǐng)域取得關(guān)鍵突破，研制出“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其擦寫速度可提升至亞 1 納秒（400 皮秒），相當(dāng)于每秒可執(zhí)行 25 億次操作，是迄今為止世界上最快的半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)，性能超越同技術(shù)節(jié)點(diǎn)下世界最快的易失性存儲(chǔ)SRAM，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)、計(jì)算速度相當(dāng)。這一技術(shù)有望徹底顛覆現(xiàn)有存儲(chǔ)器架構(gòu)，未來(lái)個(gè)人電腦將無(wú)需分層存儲(chǔ)，還能實(shí)現(xiàn)AI大模型的本地部署，不過(guò)商用還需要時(shí)間。

三、系統(tǒng)集成與接口演進(jìn)、閃存不再是“存儲(chǔ)孤島”，而是走向計(jì)算、傳輸、系統(tǒng)集成的“數(shù)據(jù)樞紐”。NVMe、UFS、CXL協(xié)議的持續(xù)更迭，推動(dòng)閃存在數(shù)據(jù)中心、車載、邊緣AI場(chǎng)景的主流化。

接口標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)：從SATA到PCIe，再到PCIe 4.0/5.0/6.0，實(shí)現(xiàn)千兆級(jí)別的并行傳輸。

2025全球閃存峰會(huì)期間，存儲(chǔ)接口與控制器技術(shù)論壇將帶來(lái)存儲(chǔ)接口與控制器技術(shù)的最新動(dòng)態(tài)。

協(xié)議層躍遷：從AHCI到NVMe，NVMe-oF成為分布式存儲(chǔ)和遠(yuǎn)程調(diào)用核心協(xié)議。

CXL的發(fā)展：2019年推出，2023年發(fā)布CMM模塊規(guī)范，支持內(nèi)存池化和跨節(jié)點(diǎn)共享，構(gòu)建下一代AI存儲(chǔ)底座。2024年，CXL 3.1規(guī)范正式發(fā)布，支持多機(jī)架間互聯(lián)，眾多廠商積極投入CXL產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)。

2025全球閃存峰會(huì)設(shè)立了CXL技術(shù)與應(yīng)用論壇，屆時(shí)大家可以通過(guò)這一論壇了解CXL的更多技術(shù)與實(shí)踐應(yīng)用近況。

四、國(guó)產(chǎn)化與多元化供應(yīng)鏈重塑格局。國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)力量的崛起，正推動(dòng)“自主堆棧體系”建立；同時(shí)全球領(lǐng)先廠商在接口、多協(xié)議、計(jì)算融合上的競(jìng)逐，將加劇市場(chǎng)集中化與分層趨勢(shì)。

2025全球閃存峰會(huì)設(shè)立了中國(guó)SSD技術(shù)突破論壇，以SSD單盤百萬(wàn)IOPS的性能指標(biāo)切入，讓大家了解更多關(guān)于行業(yè)/企業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景中，所謂穩(wěn)態(tài)、非穩(wěn)態(tài)的差別，具體的內(nèi)涵，以及SSD單盤百萬(wàn)IOPS適用場(chǎng)景等話題。

最后

從器件創(chuàng)新到生態(tài)構(gòu)建，閃存產(chǎn)業(yè)正在從“存儲(chǔ)芯片”邁向“智能底座”的演化。2025年全球閃存峰會(huì)，不僅是回顧與展示的舞臺(tái)，更是洞察趨勢(shì)、推動(dòng)協(xié)同、加速落地的起點(diǎn)。在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)時(shí)代，誰(shuí)能把握住“存力演進(jìn)”的主動(dòng)權(quán)，誰(shuí)就可能主導(dǎo)新一輪數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施變革。

崔歡歡