借助太空電梯，人類就可以實現(xiàn)極其廉價的太空運輸。如今，在SSD領(lǐng)域，中國SSD憑借后發(fā)先至的技術(shù)優(yōu)勢，成功取得了SSD單盤4看隨機寫性能的突破，率先擁抱單盤100萬IOPS的新時代。
中國SSD性能新的突破，并不能夠與“太空電梯”相提并論。但是這個突破也是一個標志：中國SSD可以大有作為，頗具潛質(zhì)，值得政府、行業(yè)/企業(yè)的認可和呵護，共同努力服務(wù)人類社會。
以中國SSD性能新突破主題論壇為契機，組委會制作了中國SSD的天梯圖，對于達成單盤4K隨機寫性能的SSD技術(shù)進行推薦。
鎮(zhèn)岳510高性能企業(yè)級SSD主控芯片
產(chǎn)品供應(yīng)商：平頭哥半導體
主要技術(shù)特性：
鎮(zhèn)岳510是一顆高性能企業(yè)級SSD主控芯片，IO處理能力達到3400K IOPS，數(shù)據(jù)帶寬達到14GByte/s，能效比達到420K IOPS/Watt。
鎮(zhèn)岳510采用平頭哥自研芯片與固件架構(gòu)，通過良好的軟硬件協(xié)同設(shè)計在實現(xiàn)性能突破的同時達到最佳能效。鎮(zhèn)岳510芯片采用平頭哥自研的低密度奇偶校驗數(shù)據(jù)糾錯算法，編碼效率逼近香農(nóng)極限，糾錯性能也大幅提升，數(shù)據(jù)誤碼率低至10^-18。鎮(zhèn)岳510采用了軟硬件一體的介質(zhì)應(yīng)用算法，能夠準確預測介質(zhì)的電平漂移，大幅改善長尾時延，給應(yīng)用以高度一致性的性能體驗。
憶恒創(chuàng)源PBlaze7 7A40系列
產(chǎn)品供應(yīng)商：憶恒創(chuàng)源Memblaze
主要技術(shù)特性：
憶恒創(chuàng)源的PBlaze7 7A40 系列 NVMe SSD 采用平頭哥鎮(zhèn)岳510主控 + 長江存儲晶棧 Xtacking 3D TLC NAND，支持 PCIe 5.0 接口，在憶恒創(chuàng)源自研 MemSpeed 5.0 技術(shù)合集優(yōu)化下，可帶來高達 3,300K IOPS 的 4K 隨機讀性能，高達 1,000K IOPS 的穩(wěn)態(tài) 4K 隨機寫性能，可大幅加速 AI 大模型、數(shù)據(jù)庫、云計算、虛擬化等應(yīng)用性能表現(xiàn)。同時，PBlaze7 7A40 系列具備更高的產(chǎn)品能效比，為構(gòu)建新一代綠色、高性能數(shù)據(jù)中心帶來理想之選。
憶聯(lián)UH812a&UH832a
產(chǎn)品供應(yīng)商：深圳憶聯(lián)
主要技術(shù)特性：
憶聯(lián)PCIe Gen5 ESSD UH812a/UH832a，基于PCIe 5.0接口標準，順序讀寫性能高達14900/10500 MB/s，隨機讀寫性能高達3500K/1000K IOPS，4K隨機讀QD1時延<55μs， MTBF≥250W小時，AFR≤0.35%，UBER≤1E-18，可提供1.6TB~15.36TB多種單盤容量選擇，有效滿足不同應(yīng)用場景需求。同時，基于硬件創(chuàng)新及業(yè)界領(lǐng)先的 LDPC 算法，UH812a/UH832a具備超高能效比及場景適配能力，整個周期內(nèi)SSD性能浮動小于10%，為數(shù)據(jù)中心混合業(yè)務(wù)、中心云/邊緣云存儲業(yè)務(wù)的穩(wěn)定、高效運行夯實存力底座，幫助客戶實現(xiàn)降本增效。
得瑞領(lǐng)新D8436/ D8456
產(chǎn)品供應(yīng)商：DERA得瑞領(lǐng)新
主要技術(shù)特性：
D8436/D8456系列企業(yè)級SSD是得瑞打造的新一代高性能企業(yè)級存儲產(chǎn)品。DERA依托平頭哥鎮(zhèn)岳510芯片前沿架構(gòu)和長江存儲最新一代企業(yè)級閃存介質(zhì)，結(jié)合深耕多年的硬件和固件設(shè)計技術(shù)，實現(xiàn)了這款模組產(chǎn)品從概念、開發(fā)到量產(chǎn)的全過程。
作為得瑞首款支持PCIe 5.0接口的高性能NVMe SSD，D8436/D8456系列順序讀寫速度高達14.2/11 GB/s，4K隨機讀寫性能達3300/1150K IOPS，性能功耗比較上一代產(chǎn)品提升70%以上。其搭載的智能功耗管理模塊與多級數(shù)據(jù)糾錯技術(shù)，可滿足AI訓練、實時數(shù)據(jù)分析、超算中心等高負載場景對低延遲、高吞吐、高能效比的嚴苛需求。
蘇州英極NS8000G7
產(chǎn)品供應(yīng)商：蘇州英極NS8000G7
產(chǎn)品特性：NS8000G7定位于高性能企業(yè)級固態(tài)硬盤，采用PCIe Gen5x4企業(yè)級主控和3D eTLC NAND方案，基于自主開發(fā)的固件架構(gòu)和硬件設(shè)計，支持SR-IOV w/ Qos、CMB、FDP、壽命預警、故障盤數(shù)據(jù)恢復等特性。順序讀寫性能可以達到14.8/11GB/s，隨機讀寫性能達3500/1000K IOPS，讀寫時延低至52/8微秒，具備穩(wěn)定可靠，安全可控，高效節(jié)能，功能全面的特點，適用于企業(yè)數(shù)據(jù)中心、云服務(wù)、IoT、AI 及機器學習等領(lǐng)域。
大普微R6100
產(chǎn)品供應(yīng)商：大普微DapuStor
主要技術(shù)特性：
DapuStor? Roealsen? R6系列產(chǎn)品基于DapuStor自研控制器DP800和固件，采用PCIe 5.0接口，搭載3D eTLC NAND Flash，讀寫性能相較于PCIe 4.0 SSD提升兩倍，支持NVMe 2.0規(guī)范協(xié)議。DapuStor R6系列面向不同行業(yè)應(yīng)用的高水準PCIe 5.0 eSSD，支持多種企業(yè)級高級特性，為企業(yè)關(guān)鍵業(yè)務(wù)、云設(shè)施及人工智能等領(lǐng)域提供業(yè)界領(lǐng)先性能、降本增效的解決方案。
紫光閃芯E5200
產(chǎn)品供應(yīng)商：紫光閃芯
產(chǎn)品技術(shù)特性：
作為新紫光集團存儲戰(zhàn)略的核心產(chǎn)品，紫光閃芯的紫光閃存E5200 從主控芯片到存儲顆粒實現(xiàn)100% 國產(chǎn)化覆蓋：搭載國產(chǎn)主控與長江存儲 3D TLC顆粒，從設(shè)計、生產(chǎn)到測試均通過國產(chǎn)化體系驗證，為云計算、電信、政務(wù)、金融、醫(yī)療等行業(yè)提供自主安全可靠的企業(yè)級存儲解決方案，以硬核科技實力筑牢數(shù)字經(jīng)濟時代的自主安全基石。紫光閃芯E5200 PCIe 5.0系列產(chǎn)品提供3.84TB/3.2TB，7.68TB/6.4TB, 15.36TB/12.8TB 全容量產(chǎn)品，既可滿足對數(shù)據(jù)讀密集型1DWPD應(yīng)用需求，也可滿足對數(shù)據(jù)混合讀寫密集型3DWPD 應(yīng)用需求，同時提供大容量、高性能產(chǎn)品方案，接口帶寬較PCIe 4.0翻倍，順序讀寫速率高達14.5/11.5 GB/s，隨機IOPS高達3500k, 為當前AI時代數(shù)據(jù)中心提供完美存儲解決方案；除此之外，E5200系列產(chǎn)品在QoS（質(zhì)量服務(wù)水平）、讀寫延遲、一致性、可靠性、兼容性和能耗比等方面有著絕佳表現(xiàn)，完全滿足AI智算服務(wù)器對模型數(shù)據(jù)訓練、推理和存儲的需求。
英韌科技DongTing-N3
產(chǎn)品供應(yīng)商：英韌科技
產(chǎn)品技術(shù)特性：
洞庭N3（DongTing-N3）是一款采用了英韌自研主控和長江存儲eTLC顆粒的全國產(chǎn)SSD產(chǎn)品，支持最高容量達到32TB，順序讀取可至14.5GB/s，穩(wěn)態(tài)隨機寫IOPS突破百萬IOPs。Dongting-N3在支持高容量和高性能設(shè)計的同時，功耗設(shè)計亦極致優(yōu)化，在進行隨機讀取時，能耗比可優(yōu)化至每瓦210K IOPs。英韌自主研發(fā)的第三代LDPC ECC技術(shù)，支持端對端數(shù)據(jù)保護，確保數(shù)據(jù)可靠性，洞庭N3的UBER(不可恢復錯誤率)≤1E-18，讀寫延遲低至55/4 us，同時自帶多種數(shù)據(jù)安全方案，兼容SPDM有效保護用戶數(shù)據(jù)隱私的同時，更方便用戶對SSD 進行安全管理。
同時，英韌科技的全國產(chǎn)系列還包括：具備高性能、低延遲的PCIe 4.0 SSD系列，以及高速平穩(wěn)的SATA SSD系列。
