此外通過15%的操作電流節(jié)省、20%的待機電流節(jié)省，爾必達的25nm工藝還能有效降低內(nèi)存功耗，為節(jié)能環(huán)保做出貢獻。

爾必達將于今年七月份開始批量投產(chǎn)這種25nm 2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，并計劃在今年年底量產(chǎn)4Gb大容量型號，晶圓產(chǎn)能可大幅增加44%,此外新工藝還會用于移動型的Mobile RAM.

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