
次世代存儲器新突破,三星大規(guī)模量產28nm工藝EMRAM
三星宣布已經開始大規(guī)模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器,除了MRAM,還有eFlas...
三星宣布已經開始大規(guī)模生產首款商用EMRAM產品,該產品基于28nm FD-SOI工藝技術,并計劃在今年擴大高密度新興的非易失存儲器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器,除了MRAM,還有eFlas...
半導體制造商GLOBALFOUNDRIES于1月25日在東京舉行了公司戰(zhàn)略新聞發(fā)布會,該公司首席執(zhí)行官Douglas Grose發(fā)布了GLOBALFOUNDRIES 2010年的總結和2011年的展望。 ● 重點提高晶圓加工能...
三周前,甲骨文共同創(chuàng)辦人兼首席執(zhí)行官Larry Ellison首次展示SPARC SuperCluster的同時,還對即將發(fā)布的SPARC T系列處理器路線圖進行了預覽。Sparc SuperCluster是基于現(xiàn)有SPARC T3處理器的...
為提高在亞洲的晶圓代工市占率,全球晶圓(GlobalFoundries)營運長謝松輝表示,GF正快步邁進28/20納米階段,目前在美國紐約投資興建的Fab 8晶圓廠,便以28/20納米制程為主,預計在2012年將可進入量產階段,屆時每月產能...
服務器在線4月20日報道 日前,IBM與其眾多合作伙伴正在制定一項28nm的半導體研究計劃。它將提供更加完善的性能、降低功能設計及更好的電池壽命,這些技術可能未來都將應用于移動設備和消費級電子設備當中。該聯(lián)盟一直致力于32納米的研究,現(xiàn)在也...