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共 76 篇文章

標(biāo)簽:NAND 第7頁

蘋果iPad或致NAND供應(yīng)緊張 影響SSD普及

蘋果iPad平板機和固態(tài)硬盤的普及似乎是八竿子打不著的兩碼事兒,不過硬盤廠商認(rèn)為,iPad的出現(xiàn)可能會導(dǎo)致NAND閃存供應(yīng)緊張,進而影響固態(tài)硬盤在PC系統(tǒng)中的應(yīng)用和推廣。 繼iPod播放器、iPhone手機之后,蘋果iPad平板機今年有機會...

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鎂光年中量產(chǎn)25nm閃存 明年轉(zhuǎn)向更高制程

鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別,他表示鎂光今年年中將開始批量生 產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片,并將于明年轉(zhuǎn)向更高級別的制程。他并表示鎂光也計...

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iSuppli預(yù)計iPhone將導(dǎo)致NAND閃存供貨緊張

市場研究公司iSuppli近日表示,由于iPhone成為NAND內(nèi)存的最大使用設(shè)備,隨著該產(chǎn)品銷售的增加,NAND閃存芯片在2010年的某一時期將出現(xiàn)供貨緊張。   iSuppli公司內(nèi)存及儲存方面的高級分析師邁克爾·...

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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝

繼Intel、美光上個月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后,韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。 海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片,這和Intel、美光首批投產(chǎn)的2...

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NAND制程轉(zhuǎn)進40nm以下 讀寫速度達1Gbps

據(jù)臺灣媒體報道:NAND閃存今年主流制程將轉(zhuǎn)進40納米以下世代,新制程NAND芯片讀寫速度均大幅提高1倍到1Gbps以上,包括三星、東芝、英特爾等企業(yè),將在今年美國消費性電子展(CES)中宣示跨入USB 3.0世代。 受惠NAND業(yè)者的全力...

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多訂少購 蘋果被指操縱NAND閃存價格

此前有媒體曾經(jīng)報道過蘋果對NAND閃存需求量過大導(dǎo)致NAND閃存市場出現(xiàn)供不應(yīng)求的局面,受此影響的不只是下游廠商,連閃存芯片制造商都忍不住開始指責(zé)蘋果。 據(jù)韓國時報報道,有芯片制造商稱蘋果常常放出大量的閃存訂單,但是實際購買量卻很少,導(dǎo)致閃...

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Intel美光超低價爭奪NAND閃存市場

據(jù)臺灣媒體報道,由Intel和美光合資組建的IM Flash公司近期正在使用低價策略,強攻NAND閃存市場,與全球最大閃存供應(yīng)商三星公司爭奪市場份額。據(jù)下游廠商透露,近期英特爾和美光的32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元,相較于三星更是...

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iSuppli調(diào)低今年NAND閃存市場收入預(yù)期

市場研究公司iSuppli周五大幅調(diào)低2008年全球NAND閃存市場的收入預(yù)期,這也是多年來NAND閃存市場銷售額第一次下降。 iSuppli在修改預(yù)期后認(rèn)為,今年用于計算機以及移動設(shè)備系統(tǒng)的閃存芯片收入將為120億美元,比去年的139億美...

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