分析師：2011年NAND閃存市場將增長16%
根據(jù)Trendforce研究部門DRAMexchange稱，2011年NAND閃存的平均銷售價格相比2010年將下降35%，但是龐大的數(shù)據(jù)增長將導致NAND閃存銷售收入增長16%達到215億美元。 NAND閃存的制造工藝技術將從2010年的...
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zhabin智能算力 集邦科技：明年NAND閃存價格將下跌35%
臺灣媒體報道，集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。 集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季...
liukai智能算力 第三季NAND閃存出貨量增長 平均售價下滑
11月10日國際報道 研究機構集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange報告顯示，第三季度NAND閃存廠商總營收51億美元，較第二季度47.6億美元增長6.9%。盡管廠商采取不同定價戰(zhàn)略，但部分廠商采取積極的降價促...
wanglin智能算力 三大芯片廠商合作開發(fā)10納米級NAND技術
DOSTOR存儲在線11月2日國際報道：英特爾、三星和東芝已經(jīng)組成聯(lián)盟，它們將聯(lián)合開發(fā)10納米級半導體產品，以生產容量更高的DRAM和閃存產品，比如400GB的閃存芯片和速度更快的處理器。 據(jù)國外媒體報道，三家廠商打算在不久之后組成聯(lián)盟，它...
liukai智能算力 EMC企業(yè)級閃存驅動器應用三星NAND
DOSTOR存儲在線10月8日國際報道：EMC在企業(yè)級閃存驅動器中使用三星NAND，三星繼STEC之后成為EMC閃存驅動器的第一個二級來源。 傳統(tǒng)上，像EMC這樣的存儲陣列廠商喜歡有第二個技術來源，比如磁盤驅動器，不喜歡依賴于單個廠商。因此...
liukai智能算力 8月下旬NAND Flash閃存合約均價下跌1%到7%
9月3日消息，據(jù)臺灣媒體報道，集邦科技(TRENDFORCE)下屬研究部門DRAMeXchange表示，8月下旬NAND Flash閃存的合約均價部分持平，部分下跌1%到7%。 報道稱，目前存儲卡及優(yōu)盤客戶的庫存仍然充足，且零售渠道市場的需...
wanglin智能算力 閃存需求增長 英特爾與美光籌建新閃存工廠
根據(jù)國外媒體的報道，英特爾與美光科技公司將開始建設新的NAND閃存芯片制造工廠。 2011年初，東芝將在日本建成一個新的閃存工廠，這一項目將于本月啟動。三星明年也會有新的韓國工廠上線。閃存工廠會耗費很多資金成本，制造商都不愿意在這方面進行投...
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iSuppli：三星東芝持續(xù)掌控NAND閃存市場
三星和東芝完全控制了NAND閃存市場，給其他廠商留出的市場空間非常有限，各廠商第一季度的收入數(shù)據(jù)如下。 下圖為市場研究公司iSuppli統(tǒng)計各閃存供應商第一季度營收（以美元為統(tǒng)計貨幣）的排名情況。從圖中顯示的情況來看，三星以38.5%的市場...
lixuyang智能算力 惠普提升Memristor技術性能對抗NAND
惠普今天宣布將Memristor技術的開關速度和耐久性進一步提高到等同于目前NAND閃存單元的水平。 Memristor或憶阻器技術據(jù)說和電阻器、電容和電感器一樣也是一個基本的電路元件。在設備開啟和關閉之間，憶阻器的電子狀態(tài)保持不變R...
lixuyang智能算力 三星全球率先推出40納米級動態(tài)存儲芯片
據(jù)韓國《中央日報》報道，世界著名存儲芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級32GB DRAM(動態(tài)隨機存取記憶體)模塊，并計劃從4月開始生產該產品。 40納米(10億分之1米)工藝是指將芯片內部電路的線幅縮小為40納米。芯片電路線幅越薄，...
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