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DDR4規(guī)范：讀寫分開 用不同存儲集合

Cnbeta 發(fā)表于：12年09月27日 00:55 [轉(zhuǎn)載] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]幾個月前內(nèi)存制造商就已經(jīng)展示了DDR4的內(nèi)存，現(xiàn)在DDR3的繼任者終于定稿了。

DDR4的架構(gòu)還包括一個8n的預(yù)讀取的兩個或者四個的存儲集合，這樣的設(shè)計能夠保證DDR4具有高效的靈活性，將讀操作和寫操作兩個分開，分別在兩個不同的存儲集合里面。同時該文件中還對內(nèi)存的功耗和帶寬進行了改善，尤其是在使用小顆粒的時候。

未來DDR5內(nèi)存特性一覽

盡管DDR4標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)定稿，但是并不能對目前市場上的DRAM造成有效的沖擊。iSuppli預(yù)計在2014年全球的占有率僅僅達到12%，而在2015年的時候這個才開始慢慢普及。

[責(zé)任編輯：黃輝]
大黃
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