最近的最近，西數(shù)又開始開發(fā)MAMR（微波輔助磁記錄技術(shù)），以這一技術(shù)為基礎(chǔ)，磁盤容量將繼續(xù)保持一個增長態(tài)勢，預(yù)計，到2030年磁盤容量能提升到100 TB水平。
那么，MAMR相對于此前的技術(shù)有哪些優(yōu)勢呢？
我們從PMR說起，采用垂直磁記錄（簡稱PMR）技術(shù)的盤片每平方英寸的容量常見的是1Tb（希捷據(jù)的能做到1.3Tb），增大存儲密度會降低可靠性，增長空間非常有限了，HGST的氦氣盤做到12TB已經(jīng)近乎極限了，所以，需要新的改進技術(shù)。
于是后來就有了HAMR，HAMR改變磁極屬性的方法有所改進（加熱方式），存儲密度可以有較大提升?；贖AMR技術(shù)，理論上存儲密度可以做到每平方英寸1Tb提升到5Tb以上，另外，希捷表示2018年將會有基于HAMR的16TB以及18TB硬盤推出。
不過，HAMR反復(fù)加熱與冷卻也會降低磁盤的可靠性和壽命，有沒有辦法解決HAMR的問題呢？MAMR用自旋扭矩振蕩器（簡稱STO）生成微波來改變磁性，避免了HAMR加熱帶來的問題。
在技術(shù)實現(xiàn)上MAMR相對于HAMR有很多優(yōu)勢，MAMR與PMR有些類似，而HAMR需要做許多改動，改動的成本會比較高，而且復(fù)雜性也會比較高，而且MAMR的穩(wěn)定性也比較高。
從市場預(yù)期來看，HAMR 最早將于2018年問世，而西數(shù)表示2019年MAMR就會有產(chǎn)品推出，如果真如西數(shù)所言，那么MAMR無疑會為西數(shù)帶來很大優(yōu)勢。
西數(shù)表示，未來MAMR技術(shù)能實現(xiàn)每平方英寸4 Tb的存儲密度，更恐怖的是，他的密度增長空間非常大，每年可保持15%的進度繼續(xù)增長。
但是僅靠MAMR是不夠的，除了MAMR以外，西數(shù)介紹的新技術(shù)還有：多級磁頭制動（multi-stage head actuation）和 “大馬士革”磁頭結(jié)構(gòu)。
“大馬士革”磁頭技術(shù)：“大馬士革”（Damascene）工藝能讓磁道更窄，排列的更緊，相應(yīng)的磁頭也要為更高密度做一些修改，以便讓磁盤找的更準(zhǔn)，簡單點說就是給磁盤臂加個關(guān)節(jié)，這樣可以更好的定位目標(biāo)。
基于此，西數(shù)發(fā)布了容量增長趨勢圖，圖中可見。2025年會有40 TB容量磁盤磁盤， 2032年磁盤將達到105 TB。
所以，到2030年，磁盤相對SSD還將保持跟現(xiàn)在差不多的價格優(yōu)勢。圖中可見這是把QLC考慮在內(nèi)的結(jié)果。
單塊磁盤容量過去幾年的增長有些趨緩，讓人感覺增長的勢頭到頭了，然而，磁盤老大哥這些舉動，最終導(dǎo)致其相對SSD的價格對比并沒有發(fā)生想象中的變化。
如果一切進展順利，那么HDD和SSD的優(yōu)勢還將繼續(xù)保持下去，SSD繼續(xù)朝著性能更高更強發(fā)展，磁盤繼續(xù)朝著容量增長的方向發(fā)展。
