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倪錦峰介紹了基于Floating Gate技術(shù)的第四代192層QLC NAND的信息。單芯片密度為1.3Tb，相比于第一代64層的QLC NAND，其Programing速度提升了2.5倍，隨機(jī)讀取性能提升5倍，讀取延遲降低了1.5倍。

作為QLC的主要推手，Solidigm為QLC的更廣泛部署提供了多個(gè)選項(xiàng)。

QLC介于磁盤和TLC之間，在Solidigm看來，QLC SSD向上可部分替代TLC SSD，向下可部分替代磁盤。

4K數(shù)據(jù)塊的讀寫一般是TLC的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域，而Solidigm的第四代QLC SSD支持將4K數(shù)據(jù)直接寫入，并且不需要對(duì)應(yīng)用做修改，這就是對(duì)于TLC的替代作用。

對(duì)于64KB及以上數(shù)據(jù)塊而言，可以通過像Solidigm D5-5316這樣的SSD直接寫入，部分沒有64KB對(duì)齊的數(shù)據(jù)塊，需要額外進(jìn)行Write shaping（寫入整理）來減少寫放大。

倪錦峰介紹稱，Solidigm與英特爾合作，用QLC搭配CSAL（Cloud Storage Acceleration Layer）方案，為某云服務(wù)商的云主機(jī)提供了低延遲、高IO、高吞吐和高性價(jià)比的本地存儲(chǔ)解決方案，替代了原來基于磁盤的方案。

在倪錦峰看來，對(duì)于需要快速訪問大量數(shù)據(jù)集的讀取密集型工作負(fù)載而言，QLC NAND SSD是理想選擇。

從上圖可見，QLC支持的業(yè)務(wù)負(fù)載類型還是非常豐富的。CDN、大數(shù)據(jù)、HCI等大文件塊為主的讀密集型工作負(fù)載都適合用QLC。

而隨著即將發(fā)布的第四代QLC技術(shù)，QLC對(duì)于AI、深度學(xué)習(xí)、OLTP等小文件塊讀密集型工作負(fù)載的承載能力將進(jìn)一步提升。

整體而言，QLC的應(yīng)用正在逐漸增多。除了大型公有云服務(wù)商，還有非常多的企業(yè)級(jí)用戶，OEM/ODM以及Lightbits Lab,VAST Data等創(chuàng)新企業(yè)都圍繞著QLC進(jìn)行創(chuàng)新。

Solidigm不僅推動(dòng)QLC在更多場(chǎng)景中的應(yīng)用，在PLC方面也有準(zhǔn)備。PLC聽起來有點(diǎn)言之過早，但有其必然性。

從倪錦峰的介紹中了解到，3D NAND技術(shù)的發(fā)展最主要表現(xiàn)是層數(shù)提高，更高層數(shù)帶來更高的存儲(chǔ)密度和更低的成本。但是，隨著層數(shù)增加，其收益會(huì)不斷收斂，同時(shí)，還要考慮工廠生產(chǎn)周期、良率控制等挑戰(zhàn)。

倪錦峰介紹了世界上第一款PLC NAND（Penta Level Cell NAND），相比于192L QLC NAND，其容量密度提升25%。而且，經(jīng)實(shí)際測(cè)試發(fā)現(xiàn)，PLC的數(shù)據(jù)維持能力可以達(dá)到與QLC產(chǎn)品相同的級(jí)別。

總之，PLC能提供更高的密度、更低的成本，為將來替換磁盤打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

Solidigm融合了SK海力士和英特爾兩家公司在SSD技術(shù)方面的積累，同時(shí)擁有Floating Gate和Charge Trap這兩項(xiàng)NAND技術(shù)的設(shè)計(jì)與制造能力，前者容量更有優(yōu)勢(shì)，后者性能更有優(yōu)勢(shì)。

同時(shí)，結(jié)合在SoC（SSD控制器）、硬件、固件以及軟件和工作負(fù)載方面的積累，在Form Factor方面的經(jīng)驗(yàn)，Solidigm在SSD領(lǐng)域幾乎可以“為所欲為”。

Solidigm秉承50年來在NAND技術(shù)上的創(chuàng)新，對(duì)工作負(fù)載的深入理解以及對(duì)數(shù)據(jù)中心的深入耕耘，打造可滿足企業(yè)、云端、客戶端等不同領(lǐng)域，適合AI、大數(shù)據(jù)等多種應(yīng)用需求的創(chuàng)新存儲(chǔ)解決方案。