TDK公司的HAMR磁記錄讀/寫(xiě)頭

對(duì)于工作原理的解釋之一是，通過(guò)其矯頑磁場(chǎng)強(qiáng)度（CFS）的變化使記錄介質(zhì)的熱度改變，這就使得磁性產(chǎn)生了改變。硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器媒介因?yàn)槠涫怯谰眯源盆F所以已經(jīng)有一個(gè)較高的磁性。低磁場(chǎng)強(qiáng)度媒體則會(huì)被用于硬盤(pán)讀/寫(xiě)磁頭和傳輸。

矯頑磁場(chǎng)強(qiáng)度越強(qiáng)，其的、反沖磁力也就越多，這就產(chǎn)生了熱的變化。或者其會(huì)不幸的被鄰近磁場(chǎng)影響引起變化，例如在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)使用同一個(gè)硬盤(pán)讀/寫(xiě)磁頭。

熱輔助磁記錄技術(shù)的方法就是加熱介質(zhì)降低矯頑磁場(chǎng)強(qiáng)度，使其能夠改變磁場(chǎng)所需的值。

這就是TDK公司所做的事情?，F(xiàn)有的硬盤(pán)媒介擁有5kOe（磁場(chǎng)強(qiáng)度單位）的矯頑磁場(chǎng)強(qiáng)度，而HAMR的數(shù)值則可以達(dá)到16kOe。這種磁盤(pán)由昭和電工株式會(huì)社制造，使用垂直磁記錄技術(shù)，轉(zhuǎn)速7200 rpm，這是一個(gè)非常標(biāo)準(zhǔn)的高容量SATA驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)速。

TDK方面表示，HAMR技術(shù)的硬盤(pán)會(huì)在2011年下半年或2012年達(dá)到50納米的軌道間距。當(dāng)然，介于BPM（bit-patterned media），DTR（discrete track recording）和HAMR的演進(jìn)還在進(jìn)行，我們也不知道這三個(gè)技術(shù)未來(lái)將會(huì)如何發(fā)展。

lixuyang